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IBS 的数据显示：28nm 体硅器件的设计成本大致在 0.51亿美元，7nm 芯片需要 2.98 亿美元，5nm 则需要 5.42 亿美元，成本增速越来越快。
半导体制程工艺的发展，离不开摩尔定律 。摩尔定律指出，当价格不变时，集成电路上可容纳的元器件的数目，约每隔 18~24 个月便会增加一倍，性能也将提升一倍。随着晶体管尺寸的减少，相同单位面积中可以容纳更多的晶体管，相同大小的处理器可以获得更高的处理能力。且小的晶体管消耗的功率少，这减少了芯片的总功耗，产生的热量也随之降低，因此可以进一步提高时钟速度。
28nm 是半导体制程里性价比最高、 长周期属性明显 的制程。一方面，相较于 40nm 及更早期制程，28nm 工艺在频率调节、功耗控制、散热管理和尺寸压缩方面具有明显优势。另一方面，由于 16nm/14nm 及更先进制程采用 FinFET 技术，维持高参数良率以及低缺陷密度难度加大，每个逻辑闸的成本都高于 28nm，从前面制程成本比较的图中也可以看出，先进制程每一代成本都加速上升。
SOI 技术不需要在 Fab 厂上进行大量投资，且具有良好的背栅偏置选项。通过在 BOX 下方创建后栅极区域，我们还可以控制电压，这使其适用于低功耗应用。但 SOI 技术很难控制晶片中的锡硅膜，故晶片的成本要高于块状硅晶片，且 SOI 晶圆的供应商数量比较少，这将使总工艺成本增加约 10%。与 SOI 相比，FinFET 具有更高的驱动电流，应变技术可用于增加载流子迁移率，但 FinFET 制造工艺复杂。
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