金属新材料系列之七：全球CAGR达7%左右（可下载）

　　5G 时代的 InP 衬底机会 衬底机会。5G 时代将带来以 InP（磷化铟）、GaAs（砷化镓）为代表的第二、第三代半导体材料的需求倍增，但目前大规格、高品质 InP、GaAs 单晶衬底基本为海外厂商垄断，国产化替代空间广阔。

　　5G终端支持频段增多将直接带动射频前端用量 终端支持频段增多将直接带动射频前端用量 和单机价值量的增长 。根据Skyworks数据，通信频段数量从2G时代的4个增加至4G时代的41个，而5G将新增50个频段，总频段数量将达到91个，由此将直接带动射频前端芯片的用量与单机价值的提升。

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　　QYR Electronics Research Center的预测，2018年至2023年全球射频前端市场规模预计将以年复合增长率16%持续高速增长，2023年接近313.1亿美元。单就功率放大器看，Yole预计2017-2023年全球功率放大器市场将由50亿美元增加至70亿美元，CAGR达7%左右。

　　随着 随着5G的 的 快速发展和数据通信业务的迅猛增长， 发展和数据通信业务的迅猛增长，InP晶圆 晶圆 和外延片的 需求 都将快速提升，根据 ，根据Yole测算数据 测算数据 ，到 到2024 年，InP市场规模将达 市场规模将达到 到1.72 亿美元，2018年至 年至2024 年的复合年增长率为14% 。