三星在美国建半导体工厂

　　11月20日，据韩媒消息，三星将在美国德州奥斯汀新建采用极紫外光（EUV）技术的半导体工厂，项目总投资规模约100亿美元。三星以及相关行业人士近日透露，三星电子将在德州奥斯汀建立晶圆厂，并使用EUV光刻机台，生产非记忆体半导体与系统LSI产品，投资规模预估100亿美元，月产能约7万片。

　　韩国半导体在全球半导体产业链当中占据重要的地位。在IC Insights所公布的2020年上半年（1H20）全球十大半导体销售排名中，韩国厂商就占了两个名额，分别是排名第二的三星和排名第四的SK海力士。

　　目前，三星启动了一个“半导体2030计划”，希望在2030年之前投资133万亿韩元，约合1160亿美元成为全球最大的半导体公司，其中先进逻辑工艺是重点之一，目标就是要追赶上台积电。在最近的几代工艺上，三星的量产进度都落后于台积电，包括10nm、7nm及5nm，不过5nm算是缩短了差距，今年也量产了，此前也获得了高通、NVIDIA、IBM等客户的8nm、7nm订单。

　　但三星追赶台积电的关键是在下一代的3nm上，因为这一代工艺上三星押注了GAA环绕栅极晶体管，是全球第一家导入GAA工艺以取代FinFET工艺的，而台积电比较保守，3nm还是用FinFET，2nm上才会使用GAA工艺。