台积电将启用GAA技术与2nm工艺

2020-09-23 10:22:42   来源:新浪VR

  据业内人士透露,台积电未来的2纳米工艺会利用GAA技术,目前正以超过预期的速度进行开发。虽然三星已经计划在2021年的3纳米节点(量产)上改用GAA技术,但台积电表示,其3纳米节点将继续使用FinFet工艺,而基于GAA技术的2nm节点将在2023年下半年开始量产。

  不过,目前台积电遥遥领先于其韩国竞争对手,大多数芯片制造商希望2021年采用5纳米工艺,继苹果之后。根据源,5nm 节点的收益率甚至比现有的 7nm 流程更好。另一方面,3nm工艺将在2022年下半年批量生产。台积电似乎相信,其5纳米和3纳米节点将足以对抗三星的3纳米GAA进程。

  台积电的优势在于,它将继续是苹果的主要铸造合作伙伴,直到2nm GAA节点,这是联合开发的智能手机制造商的充分支持。

  FinFet 晶体管:在这里,通过应用电荷,当使用场效应晶体管 (FET) 打开时,栅极允许电流从源流向涌动。

  如果你想知道GAA有什么大不了的,它更多的是关于电流泄漏,因为你收缩晶体管。通常,当您打开晶体管时,电流仅在晶体管的源和漏管之间流动。但是,如果您在栅极长度方面低于某些限制,则即使晶体管关闭,电流在源之间流动并排出。

  如上图所示,中间的门从三面覆盖源排水管。这是一个 3D 结构,如上图所示。这是一个侧视图。使用 GAA 时,门(下面为紫色)覆盖了所有四面的所有源漏通道,进一步减少了泄漏。

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